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  • Silicon Schottky P-Type Diodes: Low Barrier

  • 供应商:

    Metelics
  • 描述:

    The Aeroflex / Metelics Schottky diodes are optimized for superior 1/f noise on P-type silicon epitaxial substrate with proprietary process.

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详细信息

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The Aeroflex / Metelics Schottky diodes are optimized for superior 1/f noise on P-type silicon epitaxial substrate with proprietary process. In general they require a small forward bias (5 ~ 50 μA) for small power levels below -20 dBm when used as microwave detectors.

 

  • Superior 1/f noise.
  • Better temperature stability than zero bias Schottky diode.
  • Low barrier height.
  • Passivated with silicon nitride.
  •   Spice Model 

 

VF @ 1 mA = 220 ~ 330 mV, Vbr@ 10 mA = 3 V min.
(Chip and Beam Lead)
Model VF CJ Rd F opt Package
Package
TYP MAX TYP MAX MAX MAX
MSS25,047-C15c 260 300 0.08 0.1 65 18 C15c
MSS25,049-C15c 220 260 0.1 0.12 52 12 C15c
MSS25,141-B10D 280 330 0.06 0.08 65 40 B10D
MSS25,143-B10D 260 300 0.08 0.1 60 26 B10D
MSS25,145-B10D 220 260 0.1 0.12 52 18 B10D
Test Conditions IF= 1 mA VR = 0.2 V
F = 1 MHz
If= 5 mA GHz  

 

 

Maximum Ratings

Parameters Rating
Operation Temperature -65° C to 150° C
Storage Temperature -65° C to 150° C
Power Dissipation 150 mW per junction at 25° derate linearly to zero at Ta= +150° C
Soldering Temperature 230° C for 5 sec.

 

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