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  • Silicon Schottky P-Type Diodes: Medium Barrier

  • 供应商:

    Metelics
  • 描述:

    The Aeroflex / Metelics MSS39,000 series of Schottky diodes is fabricated on P-Type epitaxial substrates for superior 1/f noise performance in microwave based-detector applications up to 40 GHz.

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The Aeroflex / Metelics MSS39,000 series of Schottky diodes is fabricated on P-Type epitaxial substrates for superior 1/f noise performance in microwave based-detector applications up to 40 GHz.

 

  • Very low 1/f Noise.
  • Detector applications to 40 GHz.
  • Chip, beam lead or packaged devices.
  •  Spice Model

 

VF @ 1 mA = 380 ~ 480 mV
(Chip and Beam Lead)
Model Datasheet VBR CJ γ TSS Frequency Package
MIN V TYP pF MAX pF TYP
mV / mW
TYP dBm TYP GHz
MSS39,045-C15 5 0.08 0.1 5,000 -58 18 C15p
MSS39,048-C15 5 0.12 0.15 5,000 -58 12 C15p
MSS39,144-B10B 3.5 0.06 0.08 5,000 -58 40 B10Bp
MSS39,146-B10B 3.5 0.08 0.1 5,000 -58 26 B10Bp
MSS39,148-B10B 3.5 0.1 0.12 5,000 -58 20 B10Bp
MSS39,152-B10B 3.5 0.15 0.18 5,000 -58 18 B10Bp
Test Conditions IR = 10 A VR = 0 V
F = 1 MHz
F = 10 GHz, DC BIAS = 20 A
Video BW = 2 MHz RL = 100 k?

 

 

VF @ 1 mA = 380 ~ 480 mV
(Packaged)

Model
CT γ TSS Cp Lp Package
TYP pF MAX pF TYP
mV / mW
TYP dBm TYP pF TYP nH
MSS39,045-P55 0.21 0.26 5,000 -58 0.13 0.35 P55p
MSS39,045-P86 0.23 0.23 5,000 -58 0.15 1 P86p
MSS39,048-P55 0.25 0.31 5,000 -58 0.13 0.35 P55p
MSS39,048-P86 0.27 0.33 5,000 -58 0.15 1 P86p
MSS39,144-H27 0.18 0.24 5,000 -58 0.12 0.4 H27
MSS39,144-0402 0.11 0.16 5,000 -58 0.05 0.25 402
MSS39,144-0805-2 0.12 0.17 5,000 -58 0.06 0.4 0805-2
MSS39,146-H27 0.2 0.25 5,000 -58 0.12 0.4 H27
MSS39,146-0402 0.13 0.18 5,000 -58 0.05 0.25 402
MSS39,146-0805-2 0.14 0.2 5,000 -58 0.06 0.4 0805-2
MSS39,148-E25 0.17 0.22 5,000 -58 0.07 0.4 E25
MSS39,148-H20 0.28 0.33 5,000 -58 0.18 0.5 H20
MSS39,148-0402 0.15 0.2 5,000 -58 0.05 0.25 402
MSS39,148-0805-2 0.16 0.22 5,000 -58 0.06 0.4 0805-2
MSS39,152-E25 0.22 0.28 5,000 -58 0.07 0.4 E25
MSS39,152-H20 0.33 0.39 5,000 -58 0.18 0.5 H20
MSS39,152-0402 0.2 0.25 5,000 -58 0.05 0.25 402
MSS39,152-0805-2 0.21 0.27 5,000 -58 0.06 0.4 0805-2
Test Conditions VR = 0 V
F = 1 MHz
F = 10 GHz, DC BIAS = 20 A
Video BW = 2 MHz, RL = 100 k?
 

 

 

Maximum Ratings

Parameters Rating
Reverse Voltage Rated VBR
Forward Current 50 mA
Operation Temperature -65° C to +150° C
Storage Temperature -65° C to +150° C
Power Dissipation 150 mW, derated linearly to zero at Ta= +150° C
Soldering Temperature (Packaged) +230° C for 5 sec.
Beam Lead Pull Strength, Min 4 grams

 

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