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  • Pulse IMPATT DIODES FROM 30 TO 140 GHz

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    InsightProduct   
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    Insight Product Company offers IMPATT diodes with pulse power up to 20 Watt and operational frequency range up to 140 GHz. Silicon p+-p-n-n+ IMPATT diodes are designed to be used in the millimeter wave oscillators and amplifiers. They are fabricated in the metal-ruby packages with hard-lead carrier (diameter 3.0 mm, 1.5 mm)

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  Insight Product Company offers IMPATT diodes with pulse power up to 20 Watt and operational frequency range up to 140 GHz. Silicon p+-p-n-n+ IMPATT diodes are designed to be used in the millimeter wave oscillators and amplifiers. They are fabricated in the metal-ruby packages with hard-lead carrier (diameter 3.0 mm, 1.5 mm).
  Pulse IMPATT diodes for oscillators and amplifiers:

 

Operating frequency range, GHz

30-37

58-62

92-96

120-140

Minimum Power, Watt (50-100 nsec, Q=1000)

5-20

5-15

5-10

3-5

Breakdown voltage, V

34-40

20-26

13-16

10-12

Pulse current, A

8-15

10-15

10-18

10-18

Diode capacitance, pF

10-26

8-12

6-8

6-8

Package capacitance, pF

0.2

0.16

0.12 
0.15

0.08

Ruby sleeve dimentions, mm

1.2x0.7x0.4

0.9x0.55x0.3

0.5x0.2x0.15 
0.8x0.4x0.2

0.4x0.2x0.15

Schematic of Si IMPATT diode
*Delivery of diodes in pill packages or with carriers of other types is also possible.
*Delivery of a set of diodes and a test chamber is also possible.

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