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  • 超薄芯片电容

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    SemiGen
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    SemiGen 7000 系列MNOS芯片电容利用超薄工艺,芯片的平均厚度在2.5 mils(063mm)。这样可以给用户提供旁路,改进电源感应系数电路匹配最适宜的键合长度。这些MMiC and和GaN高度、几何排列可以有优异的负反馈表现。标贴电容需要良好的接地导热路径。7000系列遵循MIL 38534K级筛选标准,用户也可以定制你的应用所需要的尺寸。

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SemiGen 7000 系列MNOS芯片电容利用超薄工艺,芯片的平均厚度在2.5 mils(063mm)。这样可以给用户提供旁路,改进电源感应系数电路匹配最适宜的键合长度。这些MMiC and和GaN高度、几何排列可以有优异的负反馈表现。标贴电容需要良好的接地导热路径。7000系列遵循MIL 38534K级筛选标准,用户也可以定制你的应用所需要的尺寸。
广泛应用于军用、空间直流保护,射频旁路,放大器固定调谐,晶振,开关滤波倍频器当中。
特点:
1 超薄工艺技术
2 高Q值
3 低耗散因数
4 长期稳定性
5 6边全面检验 

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